SEMICON 2026上海半导体展有哪些参展商

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  • 来源:SEMICON
  • 2025-05-22 11:28
  • 行业:半导体
  •        2026年上海国际半导体展览会(SEMICON China 2026)预计将吸引全球1400+企业参展,涵盖芯片设计、制造、封测、设备、材料等全产业链。以下是部分已知参展商及行业头部企业(具体名单以主办方最终公布为准):


    国际巨头:设备与材料领域的技术高地

    1. ASML:EUV 光刻机与计算光刻的持续突破

    核心展品:High-NA EUV 光刻机:支持 2nm 以下逻辑芯片量产,采用全新光源技术,单次曝光分辨率提升至 0.33nm,预计 2026 年 Q2 完成客户验证。

                    DUV 光刻机产能升级:2025 年底实现年产 600 台 DUV 设备,重点布局中国成熟制程市场,支持 14nm 及以上节点扩产。

                    计算光刻解决方案:集成 AI 算法的 OPC(光学邻近修正)系统,可减少 EUV 光刻步骤 30%,降低先进制程成本。


    2. 应用材料(Applied Materials):从晶圆制造到异构集成的全栈创新

    技术亮点:Vistara™晶圆制造平台:支持 2nm 以下逻辑芯片与 3D NAND 存储量产,采用模块化设计,可灵活切换工艺类型,产能提升 20%。

                    3.5D 封装解决方案:基于混合铜键合技术的 XDSiP 平台,支持 6000mm² 芯片集成,信号密度较传统封装提升 7 倍,功耗降低 90%,已获博通、富士通等企业采用。

                   半导体材料创新:Black Diamond™超低介电常数薄膜材料,k 值低至 2.3,支持 2nm 以下互连技术,已通过台积电 4nm 工艺验证。


    3. 东京电子(Tokyo Electron):刻蚀与薄膜沉积的亚洲标杆

    重点产品:Sym3® 刻蚀系统:采用脉冲等离子体技术,可实现原子级精度刻蚀,支持 GAA(环绕栅极)晶体管量产,刻蚀均匀性误差小于 1%。

                    EUV 光罩缺陷检测设备:结合电子束与 AI 算法,可检测 0.1nm 级缺陷,检测效率较传统方案提升 5 倍,已获三星、SK 海力士订单。


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    本土龙头:国产替代与场景创新的双轮驱动

    1. 中微公司:刻蚀设备与第三代半导体的领军者

    参展亮点:Primo Halona™晶圆边缘刻蚀设备:采用双反应台设计,支持 12 英寸晶圆量产,刻蚀速率达 500nm/min,已通过中芯国际 14nm 工艺验证。

                    SiC 刻蚀解决方案:针对 6 英寸碳化硅衬底开发的等离子体刻蚀设备,刻蚀深度均匀性误差小于 2%,良率提升至 95% 以上。


    2. 北方华创:泛半导体设备的全场景覆盖

    技术突破:12 英寸氧化扩散设备:支持 3nm 逻辑芯片栅极氧化工艺,氧化层厚度均匀性误差小于 0.5%,已进入台积电供应链。

                    第三代半导体产线:与三安光电合作建设的 8 英寸 SiC 晶圆产线,月产能达 5 万片,良率突破 80%,成本较进口设备降低 30%。


    3. 士兰微:功率半导体与车规级芯片的国产先锋

    重点展品:车规级 IGBT 模块:采用第七代微沟槽技术,开关损耗降低 15%,已通过比亚迪、蔚来车规认证,2026 年产能将达每月 100 万片。

                    SiC MOSFET 模块:基于 8 英寸衬底技术,热阻降至 0.15℃/W,适配 800V 高压平台,已在小鹏 G9 车型中量产。


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    新兴领域:技术跨界与产业融合的爆发点

    1. 第三代半导体:碳化硅与氮化镓的产业化提速

    展商代表:天岳先进:展示 8 英寸 SiC 衬底量产技术,位错密度低于 0.1/cm²,成本较 6 英寸产品降低 40%,已获意法半导体长期订单。

                   三安光电:发布 1200V SiC MOSFET 芯片,导通电阻降至 15mΩ・cm²,适配新能源汽车与光伏逆变器,2026 年产能将占全球 20%。


    2. 先进封装:异构集成与 Chiplet 技术的落地实践

    技术案例:长电科技:展示 3D Foveros 封装技术,支持 10 层芯片堆叠,信号传输速率达 50Gbps,已用于 AMD MI300X 加速器。

                    通富微电:推出 2.5D 封装解决方案,采用 TSV(硅通孔)技术,芯片间互连密度提升 10 倍,成本较传统封装降低 25%。


    3. AI 与量子计算:芯片设计的范式革命

    前沿动态:华为海思:展示昇腾 1000 AI 芯片,采用 3nm 工艺,算力达 5P FLOPS,支持多模态大模型训练,已部署于盘古大模型集群。

                    本源量子:发布 256 量子比特超导芯片,保真度达 99.9%,结合自主研发的量子操作系统,可实现量子机器学习应用。


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    如何获取完整参展商名单?

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    上海国际半导体展览会
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