在8月23日至25日举行的elexcon2023深圳国际电子展上，全球存储企业的前沿技术与尖端产品汇聚一堂，共襄盛会。时创意以“芯突破·创未来”为主题，携旗下嵌入式存储芯片、SSD固态硬盘、DRAM内存模组、企业级存储及移动存储产品惊艳亮相，全方位展现了其存储矩阵产品及先进技术解决方案，彰显了硬核“芯”实力。

硬核“双芯”迭代，引领嵌入式存储新潮流

时创意的嵌入式存储芯片以“小而精、低功耗、高性能”著称。近年来，公司紧跟主流应用需求，自主研发了ePOP、eMCP、eMMC、LPDDR、UFS等一系列嵌入式存储产品，性能优于市场同类产品，持续为客户提供更具竞争力的存储解决方案。此次展会，LPDDR5和UFS3.1的全新发布更是吸引了众多目光。

LPDDR5在LPDDR4/4X的基础上迭代升级，拥有更高性能、更低功耗与更多容量选择。其支持多Bank Group模式，采用WCK信号设计，传输速率提升至6400Mbps，可提供高达51Gbps带宽；多组电压动态调节，工作电压低至0.5V，并引入数据复制和写X技术以降低功耗。LPDDR5相较LPDDR4/4X性能提升50%，功耗降低30%，是高性能智能手机、平板电脑与移动智能终端的优选方案。

UFS3.1则聚焦于新一代高端移动设备的应用场景。采用filpchip 8 die堆叠工艺与全自研软固件架构，顺序读取速度、写入速度分别可达1800MB/s、1000MB/s，理论带宽2.9GB/s，存储容量可选128GB~1TB，尺寸紧凑。UFS3.1增加了写入增强器、深度睡眠、性能调整通知等技术，使应用端性能更高、更稳定，功耗降低，电池续航时间更持久。相较UFS 2.2，UFS3.1整体配置大幅提升，有效满足5G时代数据传输的低延迟、高频宽、稳定可靠需求。

SSD固态硬盘：厚积薄发，S7000 Pro强势登场

在SSD固态硬盘展区，时创意通过批量产出S3000、S5000、S7000等系列产品逐步导入市场，产品渗透率不断提升，近年维持快速发展态势。PCIe 4.0 SSD S7000 Pro是其技术创新的又一力作，顺序读写速度高达7400MB/s、6700MB/s，DRAM-base设计大幅提升4K随机读写性能，支持PCI-E L1.2低功耗模式，导流式散热马甲保证散热效果更佳。4TB大容量解决了存储空间痛点且寿命更长久，广受客户认可。

时创意SSD固态硬盘的突出优势在于自主研发能力和完整产业链体系。依托自主研发，产品在高效能要求下表现更稳定；从Wafer封装到模组生产的完整产业链体系，显著提高效率，缩短交付周期，品质和成本得到更好管控。

DRAM内存模组：新晋产品亮点频现

展会现场，时创意团队详细推介了DRAM内存模组产品及解决方案，双方就技术亮点展开深度探讨与交流。DDR5模组内存传输速率高达6400Mhz，容量高达64GB，内置PMIC电源管理芯片与On-die ECC功能使设备运行更稳定，兼容Intel与AMD平台。DDR5 UDIMM支持定制的Intel XMP 3.0与AMD EXPO一键超频技术，将客户端体验推至更高水准。

时创意品牌焕新，共话未来

此次展会也是时创意品牌焕新的线下首秀。自成立以来，公司始终坚定高质量发展之路，加强人才建设，推进核心技术及产品研发攻关，发挥竞争优势，巩固发展根基，全面提升产品附加值。同时，与产业链上下游企业稳健协同，确保供货稳定性、质量一致性与交付及时性。未来，时创意将进一步深化从存储芯片研发、封装测试到模组制造的全产业链战略布局，提升自主研发与封测能力，持续为全球客户提供一站式存储解决方案和产品定制化服务。